113-1電機二乙電子學2-2
Authored by 煥宗 賴
Engineering
11th Grade
Used 1+ times
AI Actions
Add similar questions
Adjust reading levels
Convert to real-world scenario
Translate activity
More...
Content View
Student View
10 questions
Show all answers
1.
MULTIPLE CHOICE QUESTION
10 sec • 1 pt
有關二極體PN電容特性，下列敘述何者有誤？
空乏電容與逆向偏壓成反比
空乏電容與空乏區寬度成反比
擴散電容與順向偏壓成正比
擴散電容與電子電洞平均壽命無關
2.
MULTIPLE CHOICE QUESTION
10 sec • 1 pt
有一P-N接面二極體，若P型的雜質濃度高於N型，其空乏區以哪一型區所佔的寬度較大？
N型區
P型區
兩區相等
無法比較
3.
MULTIPLE CHOICE QUESTION
10 sec • 1 pt
室溫下，矽二極體的障壁電位(壓)為何？
0.1
0.3
0.5
0.7
4.
MULTIPLE CHOICE QUESTION
10 sec • 1 pt
室溫下，鍺(Ge)二極體每上升1oC則障壁電壓有何影響？
+1mV
-1mV
+2.5mV
-2.5mV
5.
MULTIPLE CHOICE QUESTION
10 sec • 1 pt
障壁電位是因為在空乏區內有什麼？
自由電子
電洞
自由電子與電洞
正離子與負離子
6.
MULTIPLE CHOICE QUESTION
10 sec • 1 pt
PN接面二極體的障壁電位，其極性為何？
P端為正，N端為負
P端為負，N端為正
視溫度而定
視雜質濃度而定
7.
FILL IN THE BLANKS QUESTION
1 min • 1 pt
P型半導體與N型半導體結合時，在PN接面會形成空乏區，在靠P側的空乏區內有什麼？
(a)
Access all questions and much more by creating a free account
Create resources
Host any resource
Get auto-graded reports
Continue with Google
Continue with Email
Continue with Microsoft
or continue with
%20(1).png)
Apple
Others
Already have an account?
