Фотоника лекция по НК

Монодисперсный ансамбль с узким распределением по размерам

Получение тонкой пленки на подложках

НК одинакового химического состава и типа кристаллической решетки

НК одинаковой формы с примерно одинаковыми свойствами поверхности

Увеличивается

Уменьшается

Не изменяется

Оболочка из полупроводника с большой шириной запрещенной зоны наращивается на ядро из полупроводника с меньшей шириной запрещенной зоны

Оболочка из полупроводника с меньшей шириной запрещенной зоны наращивается на ядро из полупроводника с большей шириной запрещенной зоны

Энергетические уровни электрона и дырки в оболочке располагаются ниже, чем в ядре; при этом ширина запрещенной зоны оболочки примерно такая же, как у ядра

Энергетические уровни электрона и дырки в оболочке располагаются выше, чем в ядре; при этом ширина запрещенной зоны оболочки примерно такая же, как у ядра

Фосфоресценция

Флуоресценция

Интеркомбинационная конверсия

Колебательная релаксация

Правило Левшина

Правило Стокса-Ломмеля

Правило Каша

Закон Вавилова

Правило Левшина

Правило Стокса-Ломмеля

Правило Каша

Закон Вавилова

E-типа

N-типа

P-типа

Числа поглощенных фотонов к числу испущенных фотонов

Числа испущенных фотонов к числу поглощенных фотонов

Числа поглощенных фотонов к числу падающих фотонов

Одному направлению

Двум направлениям

Трем направлениям

Сдвигается в коротковолновую область спектра

Сдвигается в длинноволновую область спектра

Остается неизменным